燒錄機(jī)FLASH基本存儲(chǔ)單元的操作---寫/擦除/讀

　　FLASH中，常用的向浮柵注入電荷的技術(shù)有兩種---熱電子注入(hot electron injection)和F-N隧道效應(yīng)(Fowler Nordheim tunneling)；從浮柵中挪走電荷的技術(shù)通常使用F-N隧道效應(yīng)(Fowler Nordheim tunneling)。

　　寫操作就是向浮柵注入電荷的過程，NOR FLASH通過熱電子注入方式向浮柵注入電荷（這種方法的電荷注入效率較低，因此NOR FLASH的寫速率較低），NAND FLASH則通過F-N隧道效應(yīng)向浮柵注入電荷。FLASH在寫操作之前，必須先將原來的數(shù)據(jù)擦除（即將浮柵中的電荷挪走），也即FLASH擦除后讀出的都是‘1’。

　　擦除操作就是從浮柵中挪走電荷的過程，NOR FLASH和NAND FLASH都是通過F-N隧道效應(yīng)將浮柵中的電荷挪走的。

　　讀出操作時(shí)，控制柵極上施加的電壓很小，不會(huì)改變浮柵中的電荷量，即讀出操作不會(huì)改變FLASH中原有的數(shù)據(jù)，也即浮柵有電荷時(shí)，D和S間存在導(dǎo)電溝道，從D極讀到‘0’；當(dāng)浮柵中沒有電荷時(shí)，D和S間沒有導(dǎo)電溝道，從D極讀到‘1’。